Учёные в США впервые изготовили полупроводник из графена

На работу ушло десять лет.

Прорыва удалось достичь, когда команда экспертов придумала выращивать двумерную аллотропную модификацию углерода на пластинах карбида кремния с помощью специальных печей.

Команда обнаружила, что при правильном изготовлении вещество химически связывается с карбидом кремния и начинает проявлять полупроводниковые свойства, пишет Science Daily.

Измерения показали, что графеновый полупроводник обладает в десять раз большей подвижностью, чем кремниевый. Для электроники это означает более высокую скорость вычислений.

В прошлом году китайские учёные разработали полупроводник из оксида галлия. Их прорыв может усилить индустрию производства полупроводников КНР, которую пытаются ослабить США.